奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備通過加熱器加熱后進(jìn)入真空蒸發(fā)分離室蒸發(fā)達(dá)到過飽和。結(jié)晶液通過蒸發(fā)分離室內(nèi)的垂直管道進(jìn)入懸浮床，使晶體生長(zhǎng)；冷卻OSLO結(jié)晶器的冷卻器是通過冷卻器將飽和料液冷卻到過飽和度，然后通過垂直管道進(jìn)入懸浮床，使晶體生長(zhǎng)。OSLO結(jié)晶器具有特殊的結(jié)構(gòu)。較大的顆粒首先接觸過飽和溶液以首先生長(zhǎng)晶體，然后是較小的晶體溶液。因此，OSLO結(jié)晶器生產(chǎn)的晶體具有體積大、顆粒均勻、生產(chǎn)能力大、連續(xù)作業(yè)、勞動(dòng)強(qiáng)度低等優(yōu)點(diǎn)。

 

　　奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備主要由換熱器、結(jié)晶分離室、冷凝器、循環(huán)管、循環(huán)泵、晶漿泵、真空泵、控制系統(tǒng)等組成；根據(jù)物料濃度和生產(chǎn)能力的不同，可分為一效、二效、三效蒸發(fā)結(jié)晶器。在結(jié)晶器的生產(chǎn)過程中，我們可以通過改變結(jié)晶器的操作方法來(lái)提高清潔度。那么，可以采取哪些措施來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)呢？

　　1、運(yùn)行過程中，控制結(jié)晶器的過飽和度位于穩(wěn)定區(qū)?；旌蠈?duì)過飽和度和晶核的形成有重要影響，是晶體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。

　　2、優(yōu)化奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備的攪拌能量輸入。這個(gè)過程產(chǎn)生的過飽和被晶體的生長(zhǎng)消耗到達(dá)到狀態(tài)，從而完成循環(huán)。如果一個(gè)循環(huán)中的過飽和沒有*消耗掉，下一個(gè)循環(huán)就會(huì)進(jìn)一步飽和。一段時(shí)間后，整個(gè)周期將遠(yuǎn)離甚至高于穩(wěn)定區(qū)，這將對(duì)晶體的生長(zhǎng)和核心產(chǎn)生不利影響。因此，為過飽和液體提供足夠的晶面是非常重要的，否則會(huì)破壞晶粒的形狀。

　　3、選擇合適的過飽和度，使細(xì)胞核的生長(zhǎng)速度更大。